Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW4N06A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW4N06A
PJW4N06A_R2_00001 Hakkında
PJW4N06A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 100mOhm (10V, 3A) maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kaybını minimize eder. SOT-223 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi anahtarlamalı devreler ile endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 509 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok