Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW3P10A_R2_00001
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW3P10A
PJW3P10A_R2_00001 Hakkında
PJW3P10A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V P-channel enhancement mode MOSFET transistördür. 2.6A sürekli drain akımı ve 210mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç uygulamalar için tasarlanmıştır. ±20V gate gerilim aralığında çalışan bu bileşen, 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Surface mount TO-261-4 paketinde sağlanan PJW3P10A, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük sinyalli kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1419 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok