Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW3P06A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW3P06A
PJW3P06A_R2_00001 Hakkında
PJW3P06A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 190mOhm (10V, 2A koşullarında) düşük on-resistance değeri ile anahtarlama kaybını minimize eder. 60V drain-source voltaj toleransı ve ±20V gate voltaj aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Surface mount SOT-223 paketlemesi, kompakt devre tasarımları için uygundur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Power management, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve analog kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok