Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJW3P06A-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PJW3P06A

PJW3P06A-AU_R2_000A1 Hakkında

PJW3P06A-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 170mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. ±20V gate gerilim toleransı ve geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sunar. SOT-223 Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve baskılı devre kartı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok