Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW3N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW3N10A
PJW3N10A_R2_00001 Hakkında
PJW3N10A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Maksimum 2.2A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, 310mOhm (10V, 2.2A) maksimum RDS(On) değerine sahiptir. 4.5V-10V sürülme voltajında kullanılan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 9.1nC, input kapasitansi 508pF'dir. TO-261-4 (SOT-223) surface mount paketinde sunulan bu MOSFET, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 508 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok