Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW2P10A_R2_00001
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW2P10A
PJW2P10A_R2_00001 Hakkında
PJW2P10A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Maksimum 1.5A drain akımı kapasitesiyle, 650mOhm On-Resistance değerinde çalışır. Surface Mount SOT-223 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında stabil performans sağlar. 8nC gate charge ve 448pF input kapasitansı ile düşük sürü gereksinimlerine sahiptir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük kontrolü sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilim aralığında güvenli çalışır ve 3.1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 448 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok