Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW1NA60B_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW1NA60B
PJW1NA60B_R2_00001 Hakkında
PJW1NA60B_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 400mA sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10Ω drain-source direnç (Rds On) ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Surface mount paketi (SOT-223) ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok