Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW1NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW1NA50
PJW1NA50_R2_00001 Hakkında
PJW1NA50_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. 300mA sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Düşük gate charge (4.2nC) karakteristiği hızlı komütasyon işlemleri gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sunar. SOT-223 yüzey montaj paketi ile yoğun devre tasarımlarına uygun kompakt boyuta sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve benzer anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok