Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJS6461_S1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJS6461
PJS6461_S1_00001 Hakkında
PJS6461_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (110mΩ @ 3.2A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. SOT-23-6 yüzey monte paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği (10nC @ 10V) ve düşük giriş kapasitanası (785pF @ 30V) hızlı anahtarlama gerektiren güç yönetimi, LED sürücüleri ve akü yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur. ±20V gate gerilim toleransı ile çeşitli kontrol devrelerinde entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok