Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJS6421_S1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
PJS6421

PJS6421_S1_00001 Hakkında

PANJIT PJS6421_S1_00001, 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7.4A sürekli dren akımı ve 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±10V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir işlem performansı sağlar. Düşük gate charge (16.5nC) ve input kapasitans (1620pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren güç yönetimi, motor kontrolü ve yük anahtarlaması devrelerinde uygulanır. 2W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok