Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJS6417_S1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
PJS6417

PJS6417_S1_00001 Hakkında

PANJIT PJS6417_S1_00001, 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 6.5A sürekli drenaj akımı ve 35mΩ (4.5V, 6.5A) on-resistance değerlerine sahiptir. Gate charge 18.9nC (@4.5V) ve input capacitance 1760pF (@10V) olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Maksimum 2W güç dağıtabilir ve ±8V gate voltajı sınırına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1760 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok