Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJS6416_S1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
PJS6416

PJS6416_S1_00001 Hakkında

PJS6416_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 7.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (27mΩ @ 7.4A, 4.5V) ile yüksek verimlilik sağlar. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. ±12V gate gerilimi toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, geniş uygulama yelpazesine uygunluğunu gösterir. 2W maksimum güç dağılımı ile kompakt tasarımlar için idealdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 513 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 7.4A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok