Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJS6415AE_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJS6415AE
PJS6415AE_S1_00001 Hakkında
PJS6415AE_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.9A sürekli drenaj akımı ve 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge (6.9nC) ve düşük kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Pil yönetim sistemleri, güç dağıtımı modülleri, bilgisayar anahtarlaması ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 602 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok