Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJS6415A_S2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJS6415A
PJS6415A_S2_00001 Hakkında
PJS6415A_S2_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 5.2A sürekli dren akımı ve 46mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıpla güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Uygulamalar: güç yönetimi devreleri, anahtarlama kaynakları, load switching, batarya yönetimi ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücüler. ±12V gate voltajı ile çalışan ve 10nC gate yüküne sahip bu transistör, hızlı anahtarlama gerektiren mobil ve endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok