Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJS6415_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJS6415
PJS6415_S1_00001 Hakkında
PJS6415_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 5.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile, 56mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük seviye gate drive gerilimi (1.8V) gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında stabil çalışır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, load switching ve komplementer MOSFET konfigürasyonlarında tercih edilir. 765pF input kapasitans ve 18nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 2W güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 765 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok