Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJS6414_S1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
SOT-23-6
Seri / Aile Numarası
PJS6414

PJS6414_S1_00001 Hakkında

PJS6414_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6.6A sürekli drain akımı kapasitesine ve 36mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 4.5V gate drive voltajında çalışan bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±12V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar. Düşük gate charge (4.1nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.6A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok