Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJS6413_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJS6413
PJS6413_S1_00001 Hakkında
PJS6413_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. 4.4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 82mOhm maksimum drain-source direncine (4.5V gate geriliminde) sahiptir. SOT-23-6 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifier görevi görmektedir. ±12V maksimum gate-source gerilimi, 7nC gate yükü ve 522pF giriş kapasitansi ile karakterize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanımı mümkün kılmaktadır. 2W maksimum güç disipasyonu ile sınırlı olup, düşük akım anahtarlama devreleri, gümrük kontrolü ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 522 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok