Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJS6403_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJS6403
PJS6403_S1_00001 Hakkında
PJS6403_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 6.4A kontinü drain akımı kapasitesiyle, 32mOhm (10V, 4A'de) RDS(on) değerine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. Gate charge değeri 7.8nC ve giriş kapasitanası 870pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 2W maksimum güç tüketimi ile enerji etkin tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok