Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJS6401_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJS6401
PJS6401_S1_00001 Hakkında
PJS6401_S1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 4.6A sürekli drenaj akımı ve 71mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15.5nC gate charge ve 637pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren devre tasarımlarında tercih edilir. Güç yönetimi, PWM denetim, batarya koruma devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 2W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 637 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 71mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok