Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ5494_R2_00001

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ5494

PJQ5494_R2_00001 Hakkında

PJQ5494_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 5A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri (20A, 10V koşullarında) ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulur ve anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 52nC gate charge ve 2207pF input capacitance (75V'de) özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2207 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DFN5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok