Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ5476AL_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ5476AL

PJQ5476AL_R2_00001 Hakkında

PJQ5476AL_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 6.5A sürekli dren akımı (Ta @ 25°C) ve 42A (Tc) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 25Ω maksimum RDS(on) değeri (20A, 10V koşullarında) düşük konversiyon kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol sistemleri ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan transistör, aktif parça statüsüne sahip ve sektörde yaygın olarak kullanılan bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1519 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DFN5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok