Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5472A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5472A
PJQ5472A_R2_00001 Hakkında
PJQ5472A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. Maksimum 2.9A (Ta) / 13A (Tc) sürekli dren akımına sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (115mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 20nC kapı yükü ve 1413pF giriş kapasitesi ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. DFN5060-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüleri, DC-DC regülatörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta), 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1413 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok