Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5465A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5465A
PJQ5465A_R2_00001 Hakkında
PJQ5465A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan bu komponent, 5A (Ta) / 16A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 48mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlayarak enerji verimli uygulamalar için tasarlanmıştır. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen ve 22nC gate charge değerine sahip bu transistör, anahtarlama uygulamalarında hızlı ve güvenilir performans sunar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Batarya yönetimi, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüleri ve yük kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1256 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok