Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5463A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5463A
PJQ5463A_R2_00001 Hakkında
PJQ5463A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4A sürekli dren akımı (Ta'da), 15A ise kasa sıcaklığında (Tc'de) sağlanan komponent, 68mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıpla çalışma imkanı verir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 25W maksimum güç tüketimi kapasitesi, güç yönetimi, anahtarlama kaynakları ve load drive uygulamaları için uygun tasarlandığını gösterir. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 2.5V eşik gerilimi ile kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta), 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 879 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok