Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ5458A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ5458A

PJQ5458A_R2_00001 Hakkında

PJQ5458A, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan bu bileşen, 4.4A sürekli drenaj akımı (Ta), 16A (Tc) kapasitesi ile tasarlanmıştır. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Gate Charge 14nC @ 10V ve Ciss 815pF @ 15V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. ±20V Vgs hata toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 815 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package DFN5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok