Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5450_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5450
PJQ5450_R2_00001 Hakkında
PANJIT PJQ5450_R2_00001, 40V nominal Drain-Source geriliminde çalışan N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 5.9A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C), 21A sınır akımı (Tc) ile tasarlanmıştır. 32mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama sağlar. 4.4nC gate charge karakteristiği hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, güç yönetimi, LED kontrolü ve anahtarlama regülatörleri gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Ta), 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok