Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ5446_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ5446

PJQ5446_R2_00001 Hakkında

PJQ5446_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 12A sürekli drain akımı (Ta) ve 70A akımı (Tc) ile yüksek güç uygulamalarında kullanılabilir. 9.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 2.5V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan bu FET, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında çalışır ve 70W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1258 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package DFN5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok