Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ5444_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ5444

PJQ5444_R2_00001 Hakkında

PJQ5444_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. Bu yüksek entegrasyonlu yarı iletken bileşeni, güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 12.7A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 70A (Tc) kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 6.5mΩ düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. DFN5060-8 SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışır. Motor kontrolü, güç dönüştürücüler, şarj yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1759 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DFN5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok