Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5428_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5428
PJQ5428_R2_00001 Hakkında
PJQ5428_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, düşük RDS(on) değeri (1.6mΩ @ 20A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışan cihaz, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve anahtar konfigürasyonlarında yaygın olarak tercih edilir. 8-pinli PowerVDFN paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir ve 83W'a kadar güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6771 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok