Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5426_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5426
PJQ5426_R2_00001 Hakkında
PJQ5426_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Sürekli dren akımı 20A (Ta) / 115A (Tc) kapasitesiyle tasarlanmıştır. Düşük on-dirençe (Rds On) sahip olan bu bileşen, 2.4mΩ @ 20A, 10V değeriyle güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount DFN5060-8 paketinde sunulan transistör, -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Gate charge 35nC @ 4.5V ve Vgs threshold 2.5V @ 250µA değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 115A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4305 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok