Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5425_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5425
PJQ5425_R2_00001 Hakkında
PJQ5425_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan bu bileşen, 15.8A (Ta) / 90A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve ±20V gate gerilimi limitleri içerisinde stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6067 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok