Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5424_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5424
PJQ5424_R2_00001 Hakkında
PJQ5424_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. Surface mount DFN5060-8 paketinde sunulan bu transistör, 13.5A sürekli dren akımı (Ta), 100A (Tc) kapasitesine sahiptir. Maksimum 3.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 2W (Ta) ve 83W (Tc) güç dağılımı kapasitesiyle kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 24nC Gate Charge ve 2238pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2238 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok