Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5420_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5420
PJQ5420_R2_00001 Hakkında
PJQ5420_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. Sürekli drenaj akımı Ta'da 10.5A, Tc'de ise 60A'ye ulaşabilir. Maksimum Rds(on) değeri 10V gate voltajında 9mΩ'dur. DFN5060-8 Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 54W (Tc) güç dağıtabilir. Gate charge değeri 4.5V'ta 7.1nC'dir. ±20V maksimum gate voltajı ile genel amaçlı kontrol uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 763 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok