Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5419_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5419
PJQ5419_R2_00001 Hakkında
PANJIT PJQ5419_R2_00001, 30V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 8.5A (Ta) ve 30A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20mΩ on-state direnç (Rds On) ve 11nC gate charge değerleriyle verimli komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulan bileşen, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1169 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok