Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5412_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5412
PJQ5412_R2_00001 Hakkında
PJQ5412_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı 10A (Ta) / 45A (Tc) kapasitesine sahiptir. Rds On değeri 12mOhm (10A, 10V) ile düşük iletim direncine ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. Gate charge 7.1 nC ile kompakt sürülme gereksinimi olan uygulamalar için uygundur. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 40W (Tc) güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama, DC-DC konvertörler, motor kontrol, güç yönetimi ve mobil cihaz uygulamalarında kullanılır. Surface Mount DFN5060-8 paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok