Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ5410_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ5410
PJQ5410_R2_00001 Hakkında
PJQ5410_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç kaybı sağlar. DFN5060-8 pakette sunulan bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 62W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve consumer uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1323 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok