Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ4476AP_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4476AP
PJQ4476AP_R2_00001 Hakkında
PJQ4476AP, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 6.3A sürekli dren akımı (Ta), 35A dren akımı (Tc) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışır ve 2.5V eşik geriliminde aktivasyon gerçekleşir. DFN3333-8 SMD paket tipinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılan endüstriyel seviye bir MOSFET çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1519 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok