Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4466AP_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4466AP

PJQ4466AP_R2_00001 Hakkında

PJQ4466AP_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 6A sürekli dren akımı (Ta) ve 33A (Tc) kapasitesiyle, güç uygulamalarında geçiş elemanı olarak kullanılır. 21mOhm maksimum on-state direnci (10V gate voltajında, 15A dren akımında) düşük güç kaybı sağlar. 28nC gate yükü ve 1680pF input kapasitanssı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Surface Mount DFN3333-8 paketinde sunulur. Motor kontrolü, güç yönetimi, PWM sürücü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok