Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4465AP

PJQ4465AP_R2_00001 Hakkında

PJQ4465AP_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 5A (Ta) / 16A (Tc) sürekli drain akımına sahip bu bileşen, 48mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarına uygundur. DFN3333-8 paketinde sunulan transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve soğuk anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ve 20W (Tc) güç dağılımı kapasitesi ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1256 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok