Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ4464AP_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4464AP
PJQ4464AP_R2_00001 Hakkında
PJQ4464AP_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. Surface mount DFN3333-8 paketinde sunulan bu bileşen, 7.3A (Ta) / 33A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine ve 17mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. ±20V Vgs aralığında çalışan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir işlem sağlar. 2W (Ta) / 40W (Tc) güç disipasyon kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. 4.5V/10V drive voltage seçenekleri ile çeşitli kontrol voltajlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Ta), 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1574 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok