Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ4463AP_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4463AP
PJQ4463AP_R2_00001 Hakkında
PJQ4463AP_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. 8-pin PowerVDFN paketinde sunulan bu transistör, 4.2A sürekli drain akımı kapasitesine ve 68mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C arası) çalışabilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve düşük gerilim anahtarlamada kullanılır. 17nC gate charge ve 879pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 879 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok