Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4463AP

PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Hakkında

PJQ4463AP-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 4.2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 68mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-pin PowerVDFN paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, bilgisayar güç kaynakları, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve diğer güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 2.1W maksimum güç tüketimi ve 17nC gate charge değeri ile verimli anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 879 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok