Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4460AP_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4460AP

PJQ4460AP_R2_00001 Hakkında

PJQ4460AP_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Maksimum 3.7A sürekli drain akımı (Ta) ve 11A (Tc) ile çalışabilen bu bileşen, 72mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. DFN3333-8 yüzey monte paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. 9.3nC gate charge ve 509pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. İnverter, boost dönüştürücü, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 509 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok