Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4448P_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4448P

PJQ4448P_R2_00001 Hakkında

PJQ4448P_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 10A sürekli dren akımı kapasitesi ve 11mΩ on-direnç (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlar. DFN3333-8 Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, 35W güç dağıtımı kapasitesi ve düşük gate charge (10nC) özelliği ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok