Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ4446P_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4446P
PJQ4446P_R2_00001 Hakkında
PJQ4446P_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 10.5A sürekli dren akımı (Ta) ve 48A puls akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnişi (Rds On) 9mOhm @ 8A/10V ile karakterize edilen bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.5V kapı eşik gerilimi (Vgs(th)) hızlı aktivasyon sağlar. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ile geniş işletme aralığına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu komponent, endüstriyel kontrol, motor sürücüler, LED aydınlatma ve elektrik güç dönüştürme devrelerinde yer alır. DFN3333-8 Surface Mount paketinde sunulan transistör, kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta), 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok