Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4446P-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4446P

PJQ4446P-AU_R2_000A1 Hakkında

PJQ4446P-AU_R2_000A1, Panjit tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 10.5A sürekli dren akımı (Ta) ve 48A (Tc) kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 9mOhm maksimum On-Direnç (10V, 8A) ile düşük enerji kaybı sağlar. DFN3333-8 Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 2.4W (Ta) / 50W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1258 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok