Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4444P_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4444P

PJQ4444P_R2_00001 Hakkında

PJQ4444P_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 14A (Ta) / 70A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.5mΩ düşük RDS(on) değeri ve 25nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. Surface Mount DFN3333-8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile uzun vadeli güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1258 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok