Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4443P_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4443P

PJQ4443P_R2_00001 Hakkında

PJQ4443P_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 8-pin PowerVDFN (DFN3333-8) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (12mΩ @ 10A, 10V) ile güç yönetimi, anahtarlama ve doğru akım kontrolü uygulamalarında kullanılır. Maksimum 8.8A (Ta) / 46A (Tc) drain akımı kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde, endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronikleri sistemlerinde enerji dönüşümü, motor kontrolü, güç dağıtımı ve yük anahtarlaması işlevlerinde yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2767 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok