Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4442P-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4442P

PJQ4442P-AU_R2_000A1 Hakkında

PJQ4442P-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 12.7A (Ta) / 50A (Tc) sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, güç anahtarlama, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve PWM uygulamalarında kullanılır. 7.5mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V maksimum kapı gerilimi toleransı ve -55°C ~ 175°C geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. Surface Mount DFN3333-8 paketinde sunulan bu FET, kompakt tasarımlar için idealdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.7A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1759 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 53.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok