Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ4441P_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4441P
PJQ4441P_R2_00001 Hakkında
PJQ4441P_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 8.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 17mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük hızda çalışma sağlar. DFN3333-8 paketinde sunulan bileşen, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta), 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 59.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok